| 发明名称 | 一种非晶氧化物薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的非晶氧化物薄膜，其化学式为InxAlyZnO2+1.5x+1.5y，1≦x≦2，0＜y＜2，薄膜电阻率在10-4~106Ωcm，可见光平均透过率大于85%，表面粗糙度小于1nm。采用磁控溅射或脉冲激光沉积方法制备。薄膜中In、Al和Zn元素分别起提高迁移率，控制载流子浓度和增强非晶态稳定性的作用。该非晶氧化物薄膜适用于作薄膜晶体管的沟道层或作为透明电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102226265A | 申请公布日期 | 2011.10.26 |
| 申请号 | CN201110163539.5 | 申请日期 | 2011.06.17 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 叶志镇;张杰;吕建国;李喜峰;吴萍;赵炳辉 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 一种非晶氧化物薄膜，其特征在于化学式为InxAlyZnO2+1.5x+1.5y，1≦x≦2，0＜y＜2，薄膜电阻率在10‑4~106 Ωcm，可见光平均透过率大于85%，表面粗糙度小于1 nm。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||