| 发明名称 | 半导体基板、电子器件、及半导体基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体基板，其包括：底板基板；设置在底板基板上的晶种；设置于晶种上方的化合物半导体；和设置于晶种和化合物半导体之间、具有比晶种大的电阻率的高电阻层，晶种和化合物半导体晶格匹配或者准晶格匹配。 | ||
| 申请公布号 | CN102227801A | 申请公布日期 | 2011.10.26 |
| 申请号 | CN200980147259.6 | 申请日期 | 2009.11.26 |
| 申请人 | 住友化学株式会社 | 发明人 | 山中贞则;秦雅彦;高田朋幸 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/8248(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种半导体基板，其特征在于，包括：底板基板；设置在所述底板基板上的晶种；设置于所述晶种上方的化合物半导体；和设置于所述晶种和所述化合物半导体之间、具有比所述晶种大的电阻率的高电阻层，其中，所述晶种和所述化合物半导体晶格匹配或者准晶格匹配。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||