| 发明名称 | 薄膜的结晶化方法、薄膜半导体装置的制造方法、电子设备的制造方法及显示装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 在基板(1)上形成栅极绝缘膜(13)以覆盖栅极电极(11)，并且形成非晶硅膜(半导体薄膜)(15)。光吸收层(19)通过缓冲层(17)形成在非晶硅膜(15)的上部上。能量照射(Lh)从诸如半导体激光器的连续波振荡激光器施加给光吸收层(19)。根据以上构造，在仅氧化光吸收层(19)的表面侧时，非晶硅膜(15)通过在光吸收层(19)中能量照射(Lh)的热转换产生的热以及氧化反应的产生的热而结晶化以形成微晶硅膜(15a)。根据上述构造，提供了一种薄膜的结晶化方法，该方法可以在具有良好可控性的同时实现较简单的工艺和较低的成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101681815B | 申请公布日期 | 2011.10.26 |
| 申请号 | CN200880016596.7 | 申请日期 | 2008.04.30 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 梅津畅彦;月原浩一;松延刚;稻垣敬夫;田附幸一;堀田慎;白井克弥 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种薄膜的结晶化方法，其特征在于包括：在基板上形成薄膜的步骤；在该薄膜上形成光吸收层的步骤；以及通过用能量线照射该光吸收层而仅将该光吸收层的表面侧氧化时，使用由该光吸收层处的该能量线的热转换产生的热以及氧化反应的热来结晶化该薄膜的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||