| 摘要 |
<p>반도체 기억 장치는 휘발성 반도체 메모리로 구성된 제1 메모리 영역(11), 비휘발성 반도체 메모리로 구성된 제2 및 제3 메모리 영역(12, 13), 및 다음의 처리를 실행하는 컨트롤러(10)를 포함한다. 컨트롤러(10)는 제1 단위로 복수의 데이터를 제1 메모리 영역에 기억시키는 제1 처리, 제1 관리 단위로 제1 메모리 영역으로부터 출력되는 데이터를 제2 메모리 영역에 기억시키는 제2 처리, 및 제2 관리 단위로 제1 메모리 영역으로부터 출력되는 데이터를 제3 메모리 영역에 기억시키는 제3 처리를 실행한다.</p> |
