发明名称 一种用于超薄半导体器件的制造方法
摘要 本发明公开了一种用于超薄半导体器件的制造方法,本发明所公开的超薄半导体器件的制造方法采用粘接材料和衬片,将粘接材料连续均匀地涂抹在衬片平边和平边两侧上表面的周边区域,将待加工的超薄产品片的一面粘贴在衬片的上表面上,并保持平边对齐,之后可用常规的离子注入、干法刻蚀等工艺对超薄产品片的另一面进行所需的加工,加工处理完成后,将超薄产品片从衬片上表面分离,最后将超薄产品片和衬片上的粘接材料去除干净,这种加工方法具有简单,稳定,成本低,易于实现的特点,衬片可以反复再生使用,特别适合用于超薄功率半导体器件制造过程中的超薄片背面工艺加工。
申请公布号 CN102226986A 申请公布日期 2011.10.26
申请号 CN201110175117.X 申请日期 2011.06.27
申请人 天津环鑫科技发展有限公司 发明人 饶祖刚;丛培金;沈浩平;冯春阳;陆界江;赵雁;高景倩;苏雷
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 天津中环专利商标代理有限公司 12105 代理人 莫琪
主权项 一种用于超薄半导体器件的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:    步骤一、准备衬片;      步骤二、在与衬片平边及平边两侧相邻的衬片上表面的周边区域连续均匀地             涂上粘接材料;    步骤三、将超薄产品片的一面朝向衬片上表面并贴于衬片上表面之上,贴片             时,确保超薄产品片的平边与衬片的平边相互对齐,两片贴合不错            位;超薄产品片的另一面则露于表面,贴片后进行烘片处理;    步骤四、将贴有超薄产品片的衬片传送到离子注入、干法刻蚀等常规工艺设            备中,对超薄产品片露于表面的一面进行所需的工艺加工处理;    步骤五、用楔形工具从未粘接的区域探入超薄产品片与衬片上表面之间,沿            周边通过机械力去除粘接材料的粘接力,将超薄产品片从衬片上表            面分离;或者,先烘片,然后用楔形工具将超薄产品片从衬片上表            面分离;    步骤六、用去粘接材料溶剂彻底去除超薄产品片和衬片上的粘接材料,并将            超薄产品片和衬片清洗干净。
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