一种优化硅基GaN场发射特性的晶体结构调制方法

摘要

本发明公开了一种优化硅基GaN场发射特性的晶体结构调制方法，属于场发射阴极领域。包括如下步骤：选择Si作为衬底，GaN靶作为靶材；将衬底和靶材放入激光脉冲沉积系统，调整靶基距为50-90mm，抽真空使背底真空为1×10-5-1×10-2Pa；通入保护气体调整工作气压为1×10-2-1×101Pa，在脉冲频率5-15Hz、脉冲能量300-500mJ/脉冲的条件下，改变衬底温度700℃-1000℃并进行沉积。本发明通过控制沉积温度从而控制GaN薄膜的晶体结构，获得了最优的场发射性能的结晶度及结晶取向，有效提高了GaN薄膜型场发射阴极的场发射性能。

主权项

一种优化硅基GaN场发射特性的晶体结构调制方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：1)选择Si作为衬底，GaN靶作为靶材；2)将衬底和靶材放入激光脉冲沉积系统，调整靶基距为50‑90mm，抽真空使背底真空为1×10‑5‑1×10‑2Pa；2)通入保护气体调整工作气压为1×10‑2‑1×101Pa，在脉冲频率5‑15Hz、脉冲能量300‑500mJ/脉冲的条件下，改变衬底温度700℃‑1000℃并进行沉积。