| 发明名称 | 一种斜向ZnO纳米线阵列及其生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的斜向ZnO纳米线阵列，其ZnO纳米线与衬底表面呈55～65°夹角，向相反的方向交叉有序排列。采用热蒸发法生长。本发明的斜向ZnO纳米线阵列的生长方法简单易行，重复性高，通过调节源材料加热温度、衬底与源材料的距离、源材料的质量和生长时间，可以制备尺寸和密度可控且分布均匀的斜向ZnO纳米线阵列。所制备的斜向ZnO纳米线阵列具有高度的有序性和高的晶体质量。 | ||
| 申请公布号 | CN102226297A | 申请公布日期 | 2011.10.26 |
| 申请号 | CN201110163536.1 | 申请日期 | 2011.06.17 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 叶志镇;张宏海;吕建国;杨晓朋;黄俊;李洋 |
| 分类号 | C30B29/16(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 主分类号 | C30B29/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 一种斜向ZnO纳米线阵列，其特征在于所述的ZnO纳米线与衬底表面呈55～65°夹角，向相反的方向交叉有序排列。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||