主权项 |
适用于存储器的反熔丝存储单元,其特征是:包括第一反熔丝单元(FUSE1),第二反熔丝单元(FUSE2),编程控制的第一高压NMOS管(M1)和第二高压NMOS管(M2),第三PMOS管(M3),第四PMOS管(M4),第五NMOS管(M5),第六NMOS管(M6);所述第一反熔丝单元(FUSE1)一端接高电平(VCC),另一端接第三PMOS管(M3)的源极和第一高压NMOS管(M1)的漏极,第二反熔丝单元(FUSE2)一端接高电平(VCC),另一端接第四PMOS管(M4)的源极和第二高压NMOS管(M2)的漏极,第一高压NMOS管(M1)栅极接第一编程数据输入端口(P1),第二高压NMOS管(M2)栅极接第二编程数据输入端口(P2),第三PMOS管(M3)栅极和第四PMOS管(M4)栅极相连并连接读取控制端(C),第三PMOS管(M3)漏极连接第五NMOS管(M5)漏极,第四PMOS管(M4)漏极连接第六NMOS管(M6)漏极,第六NMOS管(M6)栅极通过第一反向器(T1)连接第一数据输出端口(O1),第五NMOS管(M5)栅极通过第二反向器(T2)连接第二数据输出端口(O2);第一高压NMOS管(M1)源极,第二高压NMOS管(M2)源极,第五NMOS管(M5)源极,第六NMOS管(M6)源极接地(GND);所述第一编程数据输入端口(P1)和第二编程数据输入端口(P2)的数据总以互补对的形式出现,第一数据输出端口(O1)与第二数据输出端口(O2)的输出数据也是以互补对的形式输出。 |