具有凹陷通道构造之半导体元件及其制造方法

主权项

一种半导体元件，其包含有：一在操作主动区具有一凹陷结构之半导体基底材；一绝缘结构，在半导体基底材中被形成，且用其定义了操作主动区域，该绝缘结构在通道的宽度方向施加了一第一类型的压力；一压力源，其极少部分为被形成于之绝缘层内。其被装配以施加一第二类型的压力在通道的高度方向；一闸极，其极少部分为被形成于操作主动区域内；以及第一和第二离子参杂的区域，为被各自地在闸极的第一和第二侧被形成。