| 发明名称 | 纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法，包括以下几个步骤：步骤1：取一导电基片；步骤2：采用丝网印刷技术，在导电基片的表面印刷TiO2浆料；步骤3：加热，使TiO2浆料中的有机溶剂挥发，得到TiO2纳米晶多孔膜，有利于染料的吸附；步骤4：在TiO2纳米晶多孔膜上沉积ZnO晶种层3，有利于ZnO纳米线的外延生长；步骤5：采用水热化学反应法，在ZnO晶种层上外延生长ZnO纳米线阵列，有利于光生电子的直线传输并加快电荷分离，完成ZnO纳米线阵列4和TiO2纳米晶多孔膜纳米复合光阳极的制备。 | ||
| 申请公布号 | CN102222572A | 申请公布日期 | 2011.10.19 |
| 申请号 | CN201110067723.X | 申请日期 | 2011.03.21 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王美丽;李京波;王岩 |
| 分类号 | H01G9/04(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;H01M14/00(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 主分类号 | H01G9/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法，包括以下几个步骤：步骤1：取一导电基片；步骤2：采用丝网印刷技术，在导电基片的表面印刷TiO2浆料；步骤3：加热，使TiO2浆料中的有机溶剂挥发，得到TiO2纳米晶多孔膜，有利于染料的吸附；步骤4：在TiO2纳米晶多孔膜上沉积ZnO晶种层3，有利于ZnO纳米线的外延生长；步骤5：采用水热化学反应法，在ZnO晶种层上外延生长ZnO纳米线阵列，有利于光生电子的直线传输并加快电荷分离，完成ZnO纳米线阵列4和TiO2纳米晶多孔膜纳米复合光阳极的制备。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||