发明名称 微型机电系统、半导体装置、以及它们的制造方法
摘要 本发明涉及微型机电系统、半导体装置、以及它们的制造方法。本发明旨在形成MEMS和具有该MEMS的传感器,而不进行蚀刻牺牲层的步骤。本发明的技术要点是如下:形成使用隔层形成了空间的MEMS和具有该MEMS的传感器。通过采用使用隔层形成了空间的MEMS,不需要形成牺牲层的步骤及蚀刻该牺牲层的步骤。结果,没有蚀刻时间的限制,并可以提高成品率。
申请公布号 CN101024481B 申请公布日期 2011.10.19
申请号 CN200610163587.3 申请日期 2006.10.17
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 山口真弓;泉小波;立石文则
分类号 H01L25/065(2006.01)I;H01L27/20(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 H01L25/065(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 王永刚
主权项 一种半导体装置,包括:电路;电连接于所述电路并设置在所述电路上的传感器,所述传感器包括第一电极和第二电极;为了在所述电路和所述传感器之间形成第一空间而设置的第一隔层;设置在所述传感器上的衬底;以及为了在所述传感器和所述衬底之间形成第二空间而设置的第二隔层;其中,所述第二隔层包括丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、三聚氰胺树脂、聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、酚醛树脂、环氧树脂、聚缩醛、聚醚、聚氨酯、聚酰胺、呋喃树脂、以及邻苯二甲酸二烯丙酯树脂中的至少一种,其中所述第一电极和所述第二电极的一部分与所述第一隔层和所述第二隔层二者接触,其中所述第一隔层包括各向异性导电粘合剂,其中所述第一空间由位于其底部侧的所述电路、位于其横向侧的所述第一隔层、和位于其顶部侧的所述传感器包围,并且其中所述第二空间由位于其底部侧的所述传感器、位于其横向侧的所述第二隔层、和位于其顶部侧的所述衬底包围。
地址 日本神奈川