发明名称 |
碳纳米管结构及其制造和操作方法 |
摘要 |
一种基于碳纳米管的存储器器件包括直径不同的成组三个同心碳纳米管。选择三个同心碳纳米管的直径使得内部碳纳米管是半导的并且在相邻碳纳米管之间出现壳间电子传送。实现与内部碳纳米管的源极和漏极接触,并且实现与外部碳纳米管的栅极接触。通过壳间电子传送在中间碳纳米管中存储电子或者空穴来对基于碳纳米管的存储器器件进行编程。对由于中间壳中的电荷造成的内部碳纳米管的传导改变进行检测以确定中间碳纳米管的电荷状态。因此,基于碳纳米管的存储器器件以电荷的形式在中间碳纳米管中存储信息。 |
申请公布号 |
CN101475160B |
申请公布日期 |
2011.10.19 |
申请号 |
CN200910001312.3 |
申请日期 |
2009.01.04 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
杨海宁 |
分类号 |
G11C11/34(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
王茂华;郑菊 |
主权项 |
一种碳纳米管结构,包括:位于衬底上的成组三个同心碳纳米管,所述组包括:具有第一直径的内部碳纳米管;具有第二直径的中间碳纳米管,其中所述第二直径大于所述第一直径;以及具有第三直径的外部碳纳米管,其中所述第三直径大于所述第二直径;与所述外部碳纳米管邻接的传导栅极接触结构;与所述内部碳纳米管的一侧邻接的传导源极侧接触结构;以及与所述内部碳纳米管的另一侧邻接的传导漏极侧接触结构;其中在所述内部碳纳米管与所述中间碳纳米管之间的第一电荷隧穿速率和在所述中间碳纳米管与所述外部碳纳米管之间的第二电荷隧穿速率不相等。 |
地址 |
美国纽约阿芒克 |