发明名称 |
一种高倍聚光太阳能电池芯片 |
摘要 |
本发明公开了一种高倍聚光太阳能电池芯片,其包括一外延层结构,一形成于所述外延层结构上表面的经特殊设计的图形化上电极,一形成于所述外延层结构下表面的背面电极。所述图形化上电极包括主栅及次栅,其中主栅由一系列等腰梯形结构连接而成,梯形上边在同一条直线上,并指向电池芯片内部;梯形上边以下至下边的区域为引线焊接区;次栅与梯形主栅的两腰连接。本发明的优点在于,所述的图形化上电极经过特殊设计,可使得太阳电池芯片在高倍聚光下产生的大密度电流在流经主栅时充分扩展,防止电流拥挤;同时增加聚光太阳电池芯片有效光照面积,增加光生电流。 |
申请公布号 |
CN102222706A |
申请公布日期 |
2011.10.19 |
申请号 |
CN201110176319.6 |
申请日期 |
2011.06.28 |
申请人 |
厦门市三安光电科技有限公司 |
发明人 |
熊伟平;林桂江;宋明辉;吴志敏;梁兆煊;林志东 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种高倍聚光太阳能电池芯片,其包括:一外延层结构;一形成于所述外延层结构上表面的图形化上电极;一形成于所述外延层结构下表面的背面电极;其特征在于:所述图形化上电极包括主栅及次栅,其中主栅由一系列等腰梯形结构连接而成,梯形上边在同一条直线上,并指向电池芯片内部,梯形上边以下至下边的区域为引线焊接区,次栅与梯形主栅的两腰或上边连接。 |
地址 |
361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号 |