记忆胞的操作方法

摘要

本发明是有关于一种记忆胞的操作方法，记忆胞具有位于电荷储存层中的第一储存区、第二储存区、第三储存区及第四储存区，且电荷储存层位于基底与字线之间。第一储存区与第二储存区分别邻近基底的凸出部的一侧的下部及上部，以及第三储存区与第四储存区分别邻近基底的凸出部的另一侧的上部及下部，而第二储存区与第三储存区视为相同的上部储存区。此操作方法包括程序化上部储存区。首先，施加一个第一正电压至字线。接着，施加一个第二正电压至位于突出部顶部中的顶部位线。然后，分别施加一个底电压至位于突出部两侧的基底中的第一、第二底部位线。

主权项

一种记忆胞的操作方法，其特征在于该记忆胞包括具有一凸出部的一基底、位于该凸出部顶部中的一顶部位线、分别位于该凸出部两侧的该基底中的一第一底部位线与一第二底部位线、设置于该基底上方且与该第一、第二底部位线相交的一字线以及设置于该字线与该基底之间的一电荷储存层，且其中该记忆胞具有位于该电荷储存层中的一第一储存区、一第二储存区、一第三储存区及一第四储存区，该第一储存区及该第二储存区分别邻近该凸出部的该第一底部位线的一侧的下部及上部，该第三储存区及该第四储存区分别邻近该凸出部的该第二底部位线的一侧的上部及下部，而该第二储存区与该第三储存区视为相同的一上部储存区，该操作方法包括以下步骤：程序化该记忆胞的该上部储存区，包括：施加一第一正电压至该字线；施加一第二正电压至该顶部位线；以及分别施加一底电压至该第一、第二底部位线。