| 发明名称 | 低压预热燃烧合成氮化硅或氮化硅铁的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低压预热燃烧合成氮化硅或氮化硅铁的方法，其以硅粉或硅铁粉为原料，该方法的工艺步骤为：A、按下述重量百分比配制反应料：硅粉或硅铁粉45～79%，稀释剂20～50%，添加剂1～5%；B、将上述配制后的反应料混合后，在振动球磨机中活化；C、活化后的反应料松装于碳毡制成的容器中，在反应料的前端加入点火料；D、将装有反应料的容器置于低压容器中；抽真空、通入低压氮气，原料预热温度为300～1000℃，控制氮气压力0.01～1MPa；引燃反应剂，实现低压燃烧合成；E、将燃烧合成后的产品冷却后，用研磨机制成粉末即得氮化硅或氮化硅铁粉体。 | ||
| 申请公布号 | CN102219194A | 申请公布日期 | 2011.10.19 |
| 申请号 | CN201110125888.8 | 申请日期 | 2011.05.16 |
| 申请人 | 中国科学院唐山高新技术研究与转化中心 | 发明人 | 王福;杨连弟;王京甫;徐锦标;郭金砚;邹艺峰;刘得顺 |
| 分类号 | C01B21/06(2006.01)I;C01B21/068(2006.01)I | 主分类号 | C01B21/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄冀科专利商标事务所有限公司 13108 | 代理人 | 李桂芳;曹淑敏 |
| 主权项 | 一种低压预热燃烧合成氮化硅或氮化硅铁的方法，其以硅粉或硅铁粉为原料，其特征在于，该方法的工艺步骤为：A、按下述重量百分比配制反应料：硅粉或硅铁粉45～79%，稀释剂20～50%，添加剂1～5%；B、将上述配制后的反应料混合后，在振动球磨机中活化；C、活化后的反应料松装于碳毡制成的容器中，在反应料的前端加入点火料；D、将装有反应料的容器置于低压容器中；抽真空、通入低压氮气，原料预热温度为300～1000℃，控制氮气压力0.01～1.0MPa；引燃反应剂，实现低压燃烧合成；E、将燃烧合成后的产品冷却后，用研磨机制成粉末即得氮化硅或氮化硅铁粉体。 | ||
| 地址 | 063020 河北省唐山市高新区西昌路北口创业中心B座四层 | ||