离体培养金丝桃再生植株的方法

摘要

本发明属于植物组织培养技术领域。公开了一种离体培养金丝桃再生植株的方法。步骤是：A：将预先培养的金丝桃不同品种的无菌苗接种于MS基本培养基中继代培养；B：配制再生培养基：MS基本培养基+噻重氮苯基脲0.08-0.8mg/L+α-萘乙酸0.01-0.05mg/L+滤纸作滤纸桥；C：在无菌条件下，以继代培养了40-45天金丝桃无菌苗的叶片为外植体接种于MS在再生培养基中，使其近轴面朝向所述的再生培养基，暗培养15-25天后转入光照下培养，24-26天后，获得再生芽；D：将步骤C的再生芽切下接种于MS基本培养基中继代培养，获得完整再生植株。本发明简单易行，操作方便，再生频率高，可加快切花金丝桃的遗传转化和的分子育种材料的制备。

主权项

一种离体培养金丝桃再生植株的方法，其步骤是：1)将金丝桃的茎段灭菌后再切割成1‑2cm的带芽茎段接种于附加7.5g/L琼脂和3g/L蔗糖的MS基本培养基上进行继代培养，培养温度为24‑26℃，光照时间为14h/d，光照强度为2500lx；得到金丝桃无菌苗；2)切取继代培养了40‑45天的步骤1)的金丝桃无菌苗的叶片接种于MS再生培养基内，使其近轴面朝向所述的MS再生培养基上于24‑26℃下暗培养15‑25天；再转入光照下培养24‑26天，培养温度为24‑26℃，光照时间为14h/d，光照强度为2500lx，得到金丝桃再生芽；3)将步骤2)得到的金丝桃再生芽切下接种于附加7.5g/L琼脂和3g/L蔗糖的MS基本培养基中继代培养，培养温度为24‑26℃，光照时间为14h/d，光照强度为2500lx，获得完整再生植株；其中：所述的MS再生培养基为：MS基本培养基+噻重氮苯基脲0.08‑0.8mg/L+α‑萘乙酸0.01‑0.05mg/L+滤纸1片作滤纸桥；调培养基的pH至5.8‑6.0，在121℃高压蒸汽灭菌18‑22min，备用。