| 摘要 |
<p>본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 펑션 4 비트/1셀 비휘발성 퓨전 메모리 소자는 반도체 기판, 제 1 터널링 옥사이드와 제 2 터널링 옥사이드, 제 1 전하 포획 영역과 제 2 전하 포획 영역, 제 3 터널링 옥사이드와 제 4 터널링 옥사이드, 제 3 전하 포획 영역과 제 4 전하 포획 영역, 제 5 터널링 옥사이드와 제 6 터널링 옥사이드, 제 5 전하 포획 영역과 제 6 전하 포획 영역, 블로킹 옥사이드, 제 1 게이트, 제 1 절연 옥사이드와 제 2 절연 옥사이드, 저항 변화 영역, 제 2 게이트 및 소오스와 드레인을 포함한다.</p> |
