SILICON SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要
<p>CZ 법에 의해 탄소 농도가 1.O×10atoms/㎤ 이상 또한 1.6×10atoms/㎤ 이하, 초기 산소 농도가 1.4×10atoms/㎤ 이상 또한 1.6×10atoms/㎤ 이하로 하여 육성된 실리콘 단결정으로 제조된 실리콘 기판으로서, 그 두께가 40㎛ 이하 또한 5㎛ 이상이 됨과 함께, 그 이면에 200㎫ 이하 또한 5㎫ 이상의 잔류 응력이 생기는 외인성 게터링이 부여된 실리콘 기판이다.</p>
