| 发明名称 | 具有电子反射绝缘间隔层的STRAM | ||
| 摘要 | 公开了具有镜绝缘间隔层的自旋转移矩存储器。自旋转移矩存储单元(30)包括自由磁性层(F6)、参考磁性层(RL)、将自由磁性层与参考磁性层分离的电绝缘且非磁性隧穿阻挡层(TB)、电极层(E1、E2)以及将电极层与自由磁性层分离的电绝缘且电子反射层(ER)。 | ||
| 申请公布号 | CN102216994A | 申请公布日期 | 2011.10.12 |
| 申请号 | CN200980143739.5 | 申请日期 | 2009.09.28 |
| 申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | Y·郑;D·V·季米特洛夫;W·田;D·王;Z·高;X·王 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 钱慰民 |
| 主权项 | 一种自旋转移矩存储单元，包括：自由磁性层；参考磁性层；将所述自由磁性层与所述参考磁性层分离的电绝缘且非磁性隧穿阻挡层；电极层；以及将所述电极层与所述自由磁性层分离的电绝缘且电子反射层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||