发明名称 发光二极管晶粒结构及其底部电极制造方法
摘要 一种发光二极管晶粒结构及其底部电极制造方法,其发光二极管晶粒结构,包括:基材;发光层,形成于该基材顶面;至少一底面电极,形成于基材底面;至少一顶面电极,形成于发光层顶面;至少一侧面电极,形成于基材底部侧面;其底部电极制造方法,发光二极管晶粒结构包括:基材;发光层,形成于基材顶面;至少一底面电极,形成于基材底面;至少一顶面电极,形成于发光层顶面;及至少一侧面电极,形成于基材底部侧面;其中,先在发光二极管晶圆的基材底面开出一定深度的沟槽,再使用金属镀膜技术将金属膜镀至底面及沟槽内部,而后沿着沟槽将晶圆切成晶粒。本发明具有提升固晶胶与发光二极管晶粒电性连接品质的功效。
申请公布号 CN102214761A 申请公布日期 2011.10.12
申请号 CN201010137154.7 申请日期 2010.04.01
申请人 华上光电股份有限公司 发明人 王会恒
分类号 H01L33/36(2010.01)I 主分类号 H01L33/36(2010.01)I
代理机构 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 代理人 钱凯
主权项 一种发光二极管晶粒结构,其特征在于,包括有:一基材;一发光层,形成于该基材顶面;至少一底面电极,形成于该基材底面;至少一顶面电极,形成于该发光层顶面;至少一侧面电极,形成于该基材底部侧面。
地址 中国台湾