发明名称 | 发光二极管晶粒结构及其底部电极制造方法 | ||
摘要 | 一种发光二极管晶粒结构及其底部电极制造方法,其发光二极管晶粒结构,包括:基材;发光层,形成于该基材顶面;至少一底面电极,形成于基材底面;至少一顶面电极,形成于发光层顶面;至少一侧面电极,形成于基材底部侧面;其底部电极制造方法,发光二极管晶粒结构包括:基材;发光层,形成于基材顶面;至少一底面电极,形成于基材底面;至少一顶面电极,形成于发光层顶面;及至少一侧面电极,形成于基材底部侧面;其中,先在发光二极管晶圆的基材底面开出一定深度的沟槽,再使用金属镀膜技术将金属膜镀至底面及沟槽内部,而后沿着沟槽将晶圆切成晶粒。本发明具有提升固晶胶与发光二极管晶粒电性连接品质的功效。 | ||
申请公布号 | CN102214761A | 申请公布日期 | 2011.10.12 |
申请号 | CN201010137154.7 | 申请日期 | 2010.04.01 |
申请人 | 华上光电股份有限公司 | 发明人 | 王会恒 |
分类号 | H01L33/36(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/36(2010.01)I |
代理机构 | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人 | 钱凯 |
主权项 | 一种发光二极管晶粒结构,其特征在于,包括有:一基材;一发光层,形成于该基材顶面;至少一底面电极,形成于该基材底面;至少一顶面电极,形成于该发光层顶面;至少一侧面电极,形成于该基材底部侧面。 | ||
地址 | 中国台湾 |