发明名称 |
一种高反应率反应室 |
摘要 |
本发明公开了一种高反应率反应室,包括室体,室体具有顶壁、底壁及连接顶壁与底壁的两侧壁,顶壁内侧面上设有复数上挡板,底壁内侧面上设有复数下挡板,上挡板与下挡板向内的顶端上下相互交叉,上挡板与下挡板之间平行的间隔排布,室体上连接有输入管道及输出管道。本发明通过在室体内设置若干挡板,使气体多次接触金属源表面,发生多次反应,从而提高了反应效率。 |
申请公布号 |
CN102212799A |
申请公布日期 |
2011.10.12 |
申请号 |
CN201110142250.5 |
申请日期 |
2011.05.30 |
申请人 |
东莞市中镓半导体科技有限公司 |
发明人 |
赵红军;刘鹏;李燮;陆羽;毕绿燕;孙永健;张国义 |
分类号 |
C23C16/44(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
代理机构 |
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 |
代理人 |
谭一兵 |
主权项 |
一种高反应率反应室,包括室体(1),室体(1)具有顶壁(11)、底壁(12)及连接顶壁(11)与底壁(12)的两侧壁(13),其特征在于:所述顶壁(11)内侧面上设有复数上挡板(21),所述底壁(12)内侧面上设有复数下挡板(22),所述上挡板(21)与下挡板(22)向内的顶端上下相互交叉,所述上挡板(21)与下挡板(22)之间平行的间隔排布,室体(1)上连接有输入管道(3)及输出管道(4)。 |
地址 |
523518 广东省东莞市企石镇科技工业园 |