发明名称 半导体元件
摘要
申请公布号 TWI350540 申请公布日期 2011.10.11
申请号 TW095128471 申请日期 2006.08.03
申请人 海力士半導體股份有限公司 南韓 发明人 郑湖炖 南韩
分类号 G11C11/4063 主分类号 G11C11/4063
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;林荣琳 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 一种半导体元件,包括:一内部电压产生器,该内部电压产生器产生一对应于一预定参考电压之内部电压及输出该产生内部电压至一内部电压供应端;一信号产生器,该信号产生器回应一控制信号以产生一过度驱动致能信号,该控制信号于写入操作时被致能;一上拉驱动器,该上拉驱动器使用一外部电压上拉该内部电压供应端以回应该过度驱动致能信号;以及一写入驱动器,该写入驱动器被致能回应该控制信号,以使用一从该内部电压供应端所供应之电压驱动经由一整体资料汇流排线所传送之资料及输出该驱动资料至一局部资料汇流排线,其中当该控制信号转变为致能状态时,致能该过度驱动致能信号,当该控制信号转变为失能状态后而经过一延迟时间时,使该过度驱动致能信号失能。
地址 南韩