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<p>본 발명은 반도체 소자의 미세패턴 형성방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 반도체 소자의 미세패턴 형성방법은, 피식각층 상에 하드마스크막을 형성하는 단계; 상기 하드마스크막 상에 제1식각베리어패턴을 형성하는 단계; 상기 제1식각베리어패턴 양측벽에 스페이서 형태의 제2식각베리어막을 형성하는 단계; 상기 제1식각베리어패턴을 제거함과 동시에 상기 제2식각베리어막에 산소(O)성분을 함유시키는 단계 및 산소성분이 함유된 상기 제2식각베리어막을 식각장벽으로 상기 하드마스크막을 식각하여 하드마스크패턴을 형성하는 단계를 포함하고 있으며, 본 발명에 따르면, 제2식각베리어막을 금속막 또는 금속질화막으로 형성함으로써, 제1식각베리어패턴 제거시 제2식각베리어막이 손실되는 것을 방지할 수 있다.</p> |
