生长衬底移除的串联连接的倒装芯片LED

摘要

在蓝宝石衬底上生长LED层（18-22）。通过开槽或者有掩模的离子注入而形成单独的倒装芯片LED。将含有多个LED的模块切割并安装在底座晶片（44）上。底座金属图案或形成于LED上的金属图案将LED串联连接在模块中。接着比如通过激光剥离移除生长衬底。在安装之前或之后形成半绝缘层，该半绝缘层将LED机械连接在一起。可以通过对位于衬底和LED层之间的层的离子注入而形成该半绝缘层。可以通过偏置半绝缘层进行对在衬底移除之后露出的半绝缘层的PEC蚀刻。接着切割底座以产生含有串联连接的LED的LED模块。

主权项

一种制作发光二极管（LED）结构的方法，该方法包含：通过在生长衬底上外延生长N型层，在该N型层上外延生长有源层以及在该有源层上外延生长P型层，形成LED层；通过在单独的LED之间形成隔离区域，电学隔离所述LED层的区域以产生基本上电学隔离的LED；将所述LED安装在底座上，所述LED通过所述隔离区域机械耦合在一起；通过金属图案互连单独的LED的组以至少形成串联的多个LED，同时所述LED通过所述隔离区域机械耦合在一起；移除该生长衬底；以及分离该底座以形成互连的LED的模块。