发明名称 |
图像传感器及其形成方法 |
摘要 |
一种图像传感器形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底内形成有掺杂阱,以及位于所述掺杂阱内的掺杂区,所述掺杂阱与掺杂区的掺杂类型相反;在所述半导体衬底表面形成至少覆盖所述掺杂区的介质层;形成贯穿所述介质层的沟槽,所述沟槽暴露所述掺杂区;形成填充满所述沟槽的外延层,所述外延层的掺杂离子与所述掺杂区的掺杂离子相同,具有第一掺杂类型;对所述外延层的侧壁部分进行反转掺杂,形成环绕所述外延层的反转侧壁,所述反转侧壁具有第二掺杂类型,第一掺杂类型与第二掺杂类型相反;对所述外延层的表面进行掺杂,形成钉扎表面,所述钉扎表面的掺杂类型与外延层的掺杂类型相反。本发明还提供上述方法所形成的图像传感器。 |
申请公布号 |
CN102208428A |
申请公布日期 |
2011.10.05 |
申请号 |
CN201110131035.5 |
申请日期 |
2011.05.19 |
申请人 |
格科微电子(上海)有限公司 |
发明人 |
霍介光;李杰 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种图像传感器形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底内形成有掺杂阱,以及位于所述掺杂阱内的掺杂区,所述掺杂阱与掺杂区的掺杂类型相反;其特征在于,还包括:在所述半导体衬底表面形成介质层,所述介质层至少覆盖所述掺杂阱;形成贯穿所述介质层的沟槽,所述沟槽暴露所述掺杂区;形成填充满所述沟槽的外延层,所述外延层的掺杂离子与所述掺杂区的掺杂离子相同,具有第一掺杂类型;对所述外延层的侧壁部分进行反转掺杂,形成环绕所述外延层的反转侧壁,所述反转侧壁具有第二掺杂类型,第一掺杂类型与第二掺杂类型相反;对所述外延层的表面进行掺杂,形成钉扎表面,所述钉扎表面的掺杂类型与外延层的掺杂类型相反。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区盛夏路560弄2号楼11层 |