| 发明名称 | 半导体工艺的监控方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体工艺的监控方法，包括：根据栅极边缘的氧化厚度与栅极的再氧化时间的关系，建立栅极边缘的氧化厚度的变化模型；获得栅极氧化的厚度在不同取值下的半导体器件的性能参数，得到栅极边缘的氧化厚度与半导体器件的性能参数的变化关系；根据栅极边缘的氧化厚度的变化模型和栅极边缘的氧化厚度与半导体性能参数的变化关系，参照所需要满足的半导体器件的性能参数，控制栅极的再氧化时间。相对于现有技术，本发明所提供的监控方法，通过控制栅极的再氧化时间来控制栅极边缘的氧化厚度，确保半导体器件的品质。 | ||
| 申请公布号 | CN101866868B | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN200910049564.3 | 申请日期 | 2009.04.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵猛;王津洲 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;G05B19/048(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种半导体工艺的监控方法，其特征在于，包括：根据栅极边缘的氧化厚度与栅极的再氧化时间的关系，建立栅极边缘的氧化厚度的变化模型；获得栅极边缘的氧化厚度在不同取值下的半导体器件的性能参数，得到栅极边缘的氧化厚度与半导体器件的性能参数的变化关系；根据栅极边缘的氧化厚度的变化模型和栅极边缘的氧化厚度与半导体性能参数的变化关系，参照所需要满足的半导体器件的性能参数，控制栅极的再氧化时间。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||