| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明用于准确识别存储器中的不良块的半导体存储装置，该半导体存储装置包含：存储单元；产生用于控制上述存储单元动作的电压的电压发生电路(163)；存储由上述电压发生电路产生的电压初始值的存储电路(161)；与上述存储电路和上述电压发生电路连接、根据上述存储电路供给的初始值将由上述电压发生电路产生的电压控制为阶梯状的计数器(162)；在测试状态时供给上述计数器的第1信号(CT2)使上述计数器值每次以数个级进行变化。通过上述半导体存储装置能够准确识别存储器中的不良块，提高成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN101154465B | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN200710180232.X | 申请日期 | 2001.09.20 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 柴田升;田中智晴 |
| 分类号 | G11C16/30(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 吴丽丽 |
| 主权项 | 一种半导体存储装置，其特征是包含：存储单元；产生用于控制上述存储单元动作的电压的电压发生电路(163)；存储由上述电压发生电路产生的电压初始值的存储电路(161)；与上述存储电路和上述电压发生电路连接、根据上述存储电路供给的初始值将由上述电压发生电路产生的电压控制为阶梯状的计数器(162)；在测试状态时供给上述计数器的第1信号(CT2)使上述计数器值每次以数个级进行变化。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||