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<p>본 발명에 따른 반도체 메모리 장치는 어드레스 및 액티브 명령에 따라 라인 연결 제어신호를 생성하는 행 경로 활성화부; 및 셀 블록, 내부의 제 1 입출력 라인과 외부로 연장되는 제 2 입출력 라인을 연결하기 위한 입출력 라인 스위치 및 한 쌍의 비트 라인을 서로 연결하기 위한 비트 라인 스위치를 구비하며, 상기 라인 연결 제어신호를 이용하여 상기 입출력 라인 스위치 및 상기 비트 라인 스위치를 제어하도록 구성된 셀 어레이 회로부를 구비한다.</p> |
