| 摘要 |
<p>본 발명은 상변화 메모리 장치의 제조방법을 공개한다. 이 방법은 하부 구조물이 형성된 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막을 이방성 식각하여 리벳 형태의 제1 및 제2 하부 전극 콘택홀을 형성하는 단계; 제1 도전막을 증착하여 상기 제1 및 제2 하부 전극 콘택홀을 갭필하고 상기 제1 하부 전극 콘택홀에 갭필된 상기 제1 도전막을 에칭 백하여 하부 전극 콘택을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 콘택에 인접한 상기 층간 절연막의 상부를 식각하여 상기 하부 전극 콘택의 상부를 돌출시키는 단계; 상기 식각된 표면 상에 상변화 물질막을 증착하여 상기 제1 하부 전극 콘택홀을 갭필하고 상기 하부 전극 콘택의 상부 면이 노출될 때까지 평탄화하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명에 의할 경우, 상변화 물질막과 하부 전극 콘택간 접촉 영역에서 주울 열 효과가 향상되어 리셋 전류가 감소되고 소비 전력이 절감된다.</p> |
