| 摘要 |
<p>상변화 메모리 소자를 개시한다. 개시된 상변화 메모리 소자는, 복수의 단위 메모리 셀 영역으로 구분되어 있으며, 상기 단위 메모리 셀 영역마다 형성된 소정 깊이의 리세스 트렌치를 포함하는 반도체 기판, 상기 리세스 트렌치내에 일부 충진되어 형성된 스위칭 소자, 상기 스위칭 소자 상부에 형성된 하부 전극, 상기 리세스 트렌치의 측벽을 따라 형성되어, 하면(下面)은 상기 하부 전극의 상부와 접촉되도록 형성되며, 상면(上面)은 상기 리세스 트렌치의 상면과 일치되도록 형성된 상변화막, 상기 상변화막 상부에 형성된 상부 전극 및 상기 상변화막 및 상부 전극 사이에 매립되어 형성된 제 1절연막을 포함한다.</p> |
