发明名称 薄膜电晶体之多晶矽层的钝化方法
摘要
申请公布号 TWI349966 申请公布日期 2011.10.01
申请号 TW096117222 申请日期 2007.05.15
申请人 國立中山大學 高雄市鼓山區蓮海路70號 发明人 张鼎张 新竹市牛埔南路142巷8弄6号4楼;涂峻豪 彰化县员林镇永兴街4号;刘柏村 新竹市金山十三街26号;张俊彦 新竹市大学路1003巷10号3楼;陈纬仁 屏东县屏东市自立南路157巷6号
分类号 H01L21/3105;H01L21/30;H01L21/324 主分类号 H01L21/3105
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种薄膜电晶体之多晶矽层的钝化方法,包含以下步骤:(a)于一透明基板上形成一多晶矽主动层;(b)依序于该多晶矽主动层上局部地形成一闸极氧化层及一多晶矽闸极层;(c)于该多晶矽主动层与多晶矽闸极层上覆盖一绝缘层;(d)对该绝缘层施予氟离子布植或氮离子布植;(e)蚀刻该绝缘层以于该闸极氧化层与多晶矽闸极层的两侧面形成两侧壁子;(f)对该多晶矽主动层施予离子布植以于该多晶矽主动层定义出一源极与一汲极;及(g)对该源极与汲极施予活化处理并使该等侧壁子的氟离子或氮离子向内扩散至该多晶矽主动层。
地址 高雄市鼓山区莲海路70号