发明名称 高压带隙基准及其启动电路
摘要 高压带隙基准及其启动电路,带隙基准电路中第一、三、七、九MOS管与一三极管依次串联;第二、四、八、十MOS管、电阻及另一三极管依次串联;第五、六MOS管、电阻及再一三极管依次串联;第一管栅、漏极与第二、五管栅极相连;第三管的栅、漏极与第四、六管栅极相连;第八管栅、漏极与第七管栅极相连;第十管栅、漏极与第九管栅极相连。启动电路中电阻、第十一、十二MOS管依次串联;第十一管栅、漏极相连,第十二管栅极连到输出点;第十三MOS管漏极连到电源一端,栅极连到第十一管漏极,第十三管源极通过一电阻连接到第四管漏极。本发明可工作在极高的电源电压下和很宽的电压范围内。其启动电路在高压电源时也可安全可靠的工作。
申请公布号 CN102200795A 申请公布日期 2011.09.28
申请号 CN201010132627.4 申请日期 2010.03.25
申请人 上海沙丘微电子有限公司 发明人 肖国庆;李茂登
分类号 G05F3/30(2006.01)I 主分类号 G05F3/30(2006.01)I
代理机构 上海东方易知识产权事务所 31121 代理人 沈原
主权项 一种高压带隙基准及其启动电路,包括一个启动电路以及一个与其连接的带隙基准电路,其特征在于所述的带隙基准电路中:第一MOS管、第三MOS管、第七MOS管、第九MOS管以及第一三极管依次串联连接在电源两极;第二MOS管、第四MOS管、第八MOS管、第十MOS管、第一电阻以及第二三极管依次串联连接在电源两极;第五MOS管、第六MOS管、第二电阻以及第三三极管依次串联连接在电源两极;其中,第一MOS管的栅极与漏极相连接,并与第二MOS管、第五MOS管的栅相连接,形成电流镜;第三MOS管的栅极与漏极相连接,并与第四MOS管、第六MOS管的栅相连接,形成电流镜;第八MOS管的栅极与漏极相连接,并与第七MOS管的栅相连接,形成电流镜;第十MOS管的栅极与漏极相连接,并与第九MOS管的栅相连接,形成电流镜;所述的启动电路中:第三电阻、第十一MOS管、第十二MOS管依次串联连接在电源两极;第十一MOS管的栅极与漏极相连接,第十二MOS管的栅极连接到带隙基准电路的输出点(Vref);第十三MOS管的漏极连到电源一端,栅极连到第三电阻与第十一MOS管漏极的公共端,第四电阻的一端与第十三MOS管源极相连接,另一端连接到第四MOS管漏极与第八MOS管漏极的公共端。
地址 201108 上海市闵行区光华路1508号203室
您可能感兴趣的专利