发明名称 一种图形化衬底
摘要 本发明提供一种图形化衬底产品,利用异质材料制备周期性图形,该材料具备抗高温的特点,可以在800度以上的高温生长时不分解,可以以单晶体材料的形式存在。本发明包括底层的蓝宝石衬底和蓝宝石衬底表面的周期化图形,所述周期性图形完全由异质材料构成;或者所述周期性图形由异质材料和蓝宝石按照一定比例分层构成,图形上部为异质材料,而图形的下部即为蓝宝石。本发明打破了传统的图形化衬底仅利用蓝宝石衬底形成周期性图形的特点。而是使用了异于蓝宝石或GaN的异质材料在蓝宝石表面上制备了周期性的图形,已达到提高晶体生长质量,提高器件出光效率的目的。
申请公布号 CN102201512A 申请公布日期 2011.09.28
申请号 CN201110102031.4 申请日期 2011.04.22
申请人 东莞市中镓半导体科技有限公司 发明人 孙永健;张国义;贾传宇;于彤军;徐承龙;童玉珍;廉宗隅
分类号 H01L33/26(2010.01)I;H01L33/24(2010.01)I 主分类号 H01L33/26(2010.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 谭一兵
主权项 一种图形化衬底,其特征在于:包括底层的蓝宝石衬底和蓝宝石衬底表面的周期化图形,所述周期性图形完全由异质材料构成;或者所述周期性图形由异质材料和蓝宝石按照一定比例分层构成,图形上部为异质材料,而图形的下部即为蓝宝石,异质材料与蓝宝石的比例为异质材料层厚:蓝宝石图形层厚 = 0.05~1:0~0.95,直到图形完全是异质材料。
地址 523500 广东省东莞市企石镇科技工业园