| 发明名称 | 含氧半导体薄膜晶体管的制作方法及显示装置的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种含氧半导体薄膜晶体管(oxide thin film transistor，OTFT)的制作方法，其利用沉积工艺形成薄膜晶体管的含氧半导体活性层，其中进行沉积工艺时所用的气体的总流量大于100标准状态毫升每分钟，所用的电功率介于1.5千瓦至10千瓦之间。由此方法制作的含氧半导体薄膜晶体管具有低漏电、高电子移动性以及良好温度稳定性等优点。本发明还涉及一种显示装置的制作方法，能有效提升显示品质。 | ||
| 申请公布号 | CN102201347A | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN201010131307.7 | 申请日期 | 2010.03.24 |
| 申请人 | 元太科技工业股份有限公司 | 发明人 | 辛哲宏;王裕霖;舒芳安;蔡耀州 |
| 分类号 | H01L21/34(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汇智英财专利代理事务所 11301 | 代理人 | 陈践实 |
| 主权项 | 一种含氧半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：利用沉积工艺形成一个含氧半导体活性层，进行该沉积工艺时所用的气体的总流量大于100标准状态毫升每分钟，所用的电功率介于1.5千瓦至10千瓦之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行一路3号 | ||