硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件制造方法及构造

摘要

本发明公开了一种硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件制造方法及构造；该制造方法是将一扩散后晶片与一可耐高温的高强度基板烧结熔接共构后，再对该扩散后晶片进行刻蚀开沟、填入绝缘物质、以及表面金属化等工艺，使多个电极皆建构在同一平面上，以完成所有功能线路制作后，再对该共构体进行切割，即可分离出多个可直接应用的单一表面粘着型二极管元件；相较知先将硅晶圆片所有功能线路制作完成并切割成单一晶粒之后，再经封装及测试的二极管元件制造方法，本发明具有简化工艺、降低工时的功效，且工艺中晶片不易破裂损坏，并符合轻薄短小的世界潮流。

主权项

一种硅晶片与基板共构表面粘着型二极管元件的制造方法，其特征在于，所述的制造方法包括下列步骤：第一步骤：将一扩散后晶片与一可耐高温的高强度基板层迭烧结熔接后，令扩散后晶片与基板形成一共构体；第二步骤：对所述的扩散后晶片的表面进行刻蚀开沟，以形成多个隔离沟槽，使扩散后晶片上形成多个建构在同一平面上相互隔离排列的电极；第三步骤：在扩散后晶片上的多个隔离沟槽内填入绝缘物质，令多个建构在同一平面上的电极相互绝缘隔离；第四步骤：对扩散后晶片的电极表面金属化，以延伸电极的电气特性，完成所有的功能线路制作；第五步骤：将扩散后晶片与基板所形成的共构体进行切割，以分离出多个单一个体，每一单一个体表面均具有两个建构在同一平面上且相互绝缘隔离的电极，使每一单一个体形成可以直接应用的单一表面粘着型二极管元件。