一种低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法

摘要

本发明涉及晶体硅太阳能电池领域，特别是指一种低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法，将纯度为4N～5.5N的硅片进行清洗和表面织构化处理，使硅片表面形成金字塔结构绒面，并采用等离子增强化学气相沉积镀膜厚为0.1-10μm的本征硅膜，然后进行高温晶化，晶化后的硅片进行清洗，清洗后的硅片再经过晶体硅太阳能电池的常规工艺进行处理，制成低纯度单晶硅太阳能电池，克服了4N～5.5N的硅片采用普通晶体硅太阳能电池的制造方法制造的电池漏电流过大而无法使用的缺点，使得冶金法制得的4N～5.5N的硅片可用于制造太阳能电池。

主权项

一种低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一，将纯度为4N～5.5N的硅片进行清洗和表面织构化处理，使硅片表面形成金字塔结构绒面，形成的金字塔结构绒面的塔底的平均宽度为15～25μm、金字塔结构绒面的平均高度为1～4μm；步骤二，采用等离子增强化学气相沉积，通入1∶10～10∶1的硅烷和氩气，通过控制时间镀膜厚为0.1‑10μm的本征硅膜；步骤三，将高温晶化炉抽至10‑2帕以上真空，硅片放入700～1100℃高温晶化炉的石英管中，以6～10mm/min的速度进入炉腔，保温2‑60min，以6～10mm/min的速度离开炉腔，晶化后的硅片进行清洗；步骤四，清洗后的硅片再经过晶体硅太阳能电池的常规工艺进行处理，主要包括扩散、等离子刻蚀、去磷硅玻璃、等离子增强化学气相沉积法镀氮化硅膜和丝网印刷工艺，制成低纯度单晶硅太阳能电池。