| 发明名称 | 场发射显示器的阴极结构 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种场发射显示器的阴极结构，包括：基板；阴极层位于所述基板之上；电阻层，位于所述阴极层上，其材料为非晶硅(a-Si)；层间介电层，位于所述电阻层上，所述层间介电层具有一第一开口暴露出所述电阻层的部分上表面；以及场发射尖端，位于所述第一开口内的电阻层的部分上表面上并与之电性连接。其中，电阻层通过化学气相沉积(CVD)形成。本发明具有如下优点1)降低成本；2)改善电阻层粒子不稳定情形；3)获得稳定的阻抗值；4)提高产能。 | ||
| 申请公布号 | CN102201317A | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN201110092518.9 | 申请日期 | 2011.04.08 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 吴德钧;赖颖辉;吴欣桓;黄瀚毅;李仁智;张庆明;郭柏佑 |
| 分类号 | H01J29/04(2006.01)I;H01J31/12(2006.01)I | 主分类号 | H01J29/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 曾红 |
| 主权项 | 一种场发射显示器的阴极结构，其特征在于，包括：基板；阴极层位于所述基板之上；电阻层，位于所述阴极层上，其材料为非晶硅(a‑Si)；层间介电层，位于所述电阻层上，所述层间介电层具有一第一开口暴露出所述电阻层的部分上表面；以及场发射尖端，位于所述第一开口内的电阻层的部分上表面上并与之电性连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号 | ||