在基板间隙中形成氧化物牺牲衬层的氧气SACVD方法

摘要

本发明描述了一种形成和去除氧化物牺牲层的方法。该方法包括在基板上形成阶梯，其中该阶梯具有顶部和侧壁。该方法也可包括通过分子氧和四乙氧基硅烷(TEOS)的化学气相沉积而在阶梯周围形成该氧化物牺牲层，其中该氧化物层形成在该阶梯的顶部和侧壁上。该方法也可包括：去除该氧化物层和该阶梯的顶部部分；去除该基板通过去除该阶梯而暴露出的部分，以形成蚀刻基板；以及从该蚀刻基板中去除整个该氧化物牺牲层。

主权项

一种形成和去除氧化物牺牲层的方法，该方法包括：在基板上形成阶梯(step)，其中该阶梯具有顶部和侧壁；通过分子氧和含硅前驱物的化学气相沉积在该阶梯周围形成该氧化物牺牲层，其中该氧化物牺牲层形成在该阶梯的顶部和侧壁上；去除该氧化物牺牲层和该阶梯的顶部部分，同时留下该氧化物牺牲层的剩余部分，该剩余部分包括至少部分上述侧壁；去除通过去除该阶梯而暴露出的该基板的部分，以形成蚀刻基板；以及从该蚀刻基板中去除该氧化物牺牲层的该剩余部分。