半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供待蚀刻的晶片，该晶片顶层形成有一金属层；在晶片上涂覆第一光致抗蚀剂层；对晶片进行第一次曝光和显影，以形成第一图案；对晶片进行第一次蚀刻，以蚀刻掉金属层的第一部分；去除第一光致抗蚀剂层；进行湿法清洗；在晶片上涂覆第二光致抗蚀剂层；对晶片进行第二次曝光和显影，以形成第二图案；对晶片进行第二次蚀刻，以蚀刻掉金属层的第二部分；去除第二光致抗蚀剂层；以及进行湿法清洗。该方法能够在整个晶片上提供更多光致抗蚀剂保护以防止等离子体轰击损伤，并且能够为铝线侧壁提供更多聚合物保护以提高蚀刻的各向异性，从而实现无腐蚀缺陷且具有良好侧壁形貌的半导体制造。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：提供待蚀刻的晶片，所述晶片顶层形成有一金属层；在待蚀刻的晶片上涂覆第一光致抗蚀剂层；对涂覆有所述第一光致抗蚀剂层的晶片进行第一次曝光和显影，以形成第一图案；对所述第一次显影后的晶片进行第一次蚀刻，以蚀刻掉所述金属层的第一部分；去除所述第一光致抗蚀剂层；对所述晶片进行湿法清洗；在所述晶片上涂覆第二光致抗蚀剂层；对涂覆有所述第二光致抗蚀剂层的晶片进行第二次曝光和显影，以形成第二图案；对所述第二次显影后的晶片进行第二次蚀刻，以蚀刻掉所述金属层的第二部分；去除所述第二光致抗蚀剂层；以及对所述晶片进行湿法清洗。