沟槽隔离结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种沟槽隔离结构的形成方法，包括下列步骤：在半导体基底上形成硬掩膜层；蚀刻硬掩膜层和半导体基底，形成沟槽；在沟槽侧壁形成衬氧化层，在衬氧化层以及硬掩膜层上形成衬氮化层；沉积第一绝缘层，填满沟槽并覆盖所述衬氮化层；执行退火工艺，并平坦化第一绝缘层至露出衬氮化层；进行第一湿法刻蚀工艺，去除沟槽内的部分第一绝缘层；执行第二湿法刻蚀工艺，去除硬掩膜层上的衬氮化层并使沟槽侧壁的衬氮化层高度与第一绝缘层的高度相同；沉积第二绝缘层，填满沟槽并覆盖所述硬掩膜层；去除位于半导体基底上的第二绝缘层和硬掩膜层，形成沟槽隔离结构。所述方法避免在沟槽中产生缝隙。

主权项

一种沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：在半导体基底上形成硬掩膜层；蚀刻硬掩膜层和半导体基底，形成沟槽；在沟槽侧壁形成衬氧化层，在衬氧化层以及硬掩膜层上形成衬氮化层；沉积第一绝缘层，填满沟槽并覆盖所述衬氮化层；执行退火工艺，并平坦化第一绝缘层至露出衬氮化层；进行第一湿法刻蚀工艺，去除沟槽内的部分第一绝缘层，；执行第二湿法刻蚀工艺，去除硬掩膜层上的衬氮化层并使沟槽侧壁的衬氮化层高度与第一绝缘层的高度相同；沉积第二绝缘层，填满沟槽并覆盖所述硬掩膜层；去除位于半导体基底上的第二绝缘层和硬掩膜层，形成沟槽隔离结构。