发明名称 |
半导体装置及影像感测装置 |
摘要 |
一种半导体装置及影像感测装置,该半导体装置包含:具有一前表面及一后表面的一半导体基材;形成于基材上的元件;形成于基材的前表面上的互连金属层,包含一最高互连金属层;一内金属介电层,供绝缘位于其中的多个互连金属层中的每一个;以及位于内金属介电层中的一接合垫,接合垫与除了最高互连金属层之外的互连金属层之一接触。 |
申请公布号 |
CN101442063B |
申请公布日期 |
2011.09.28 |
申请号 |
CN200810135288.8 |
申请日期 |
2008.08.07 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
谢元智;刘世昌;傅士奇;许慈轩;喻中一;萧国裕;蔡嘉雄 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
章社杲;吴贵明 |
主权项 |
一种半导体装置,包含:一半导体基材,具有一前表面及一后表面;多个元件,形成于所述基材上;多个互连金属层,形成于所述基材的前表面上,包含一最高互连金属层;一内金属介电层,供绝缘位于其中的所述多个互连金属层中的每一个;以及一接合垫,位于所述内金属介电层中,所述接合垫与除了最高互连金属层之外的所述多个互连金属层之一直接接触,其中,所述多个互连金属层之一通过一介层与所述最高金属层耦合,所述半导体装置还包含:一保护层,形成于所述最高互连金属层及所述内金属介电层上,所述保护层部分围绕所述接合垫;一滤光片阵列,形成于所述保护层上,每一滤光片允许光辐射波长达到至少一元件;以及一微透镜阵列,形成于所述滤光片阵列上,每一微透镜适合导引光辐射达到至少一滤光片;其中,每一所述元件包含一感光元件。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |