CMOS图像传感器制作方法

摘要

一种CMOS图像传感器制作方法，包括：提供具有第一掺杂类型的衬底；在所述衬底中形成具有第二掺杂类型的第一掺杂区，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；在所述第一掺杂区内刻蚀以形成沟槽，所述沟槽与所述第一掺杂区具有相同或相近的深度；形成具有第一掺杂类型的外延层，所述外延层覆盖所述第一掺杂区表面；在所述沟槽内依次分别形成至少第一介质层以及第一电极层。本发明通过刻蚀技术形成沟槽并通过外延工艺形成用于起到反型作用的外延层，使得在工艺过程中，能够较为精确地对所述外延层的厚度、掺杂浓度予以控制，从而有利于更好地实现器件的性能。

主权项

一种CMOS图像传感器制作方法，其特征在于，包括：提供具有第一掺杂类型的衬底；在所述衬底中形成具有第二掺杂类型的第一掺杂区，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；在所述第一掺杂区内刻蚀以形成沟槽，所述沟槽与所述第一掺杂区具有相同或相近的深度；形成具有第一掺杂类型的外延层，所述外延层覆盖所述第一掺杂区表面；在所述沟槽内依次分别形成至少第一介质层以及第一电极层。