| 发明名称 | 半导体器件和形成用于无铅凸块连接的双UBM结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件和形成用于无铅凸块连接的双UBM结构的方法。一种半导体器件具有包括接触焊盘的衬底。第一绝缘层形成在衬底和接触焊盘上。第一凸块下金属化（UBM）形成在第一绝缘层上并且被电连接到接触焊盘。第二绝缘层形成在第一UBM上。第二UBM在第二绝缘层被固化之后形成在第二绝缘层上。第二UBM被电连接到第一UBM。第二绝缘层在第一和第二UBM的多个部分之间并且分隔第一和第二UBM的多个部分。接触焊盘上的具有开口的光致抗蚀剂层被形成在第二UBM上。导电凸块材料被沉积在光致抗蚀剂层中的开口内。光致抗蚀剂层被除去，并且导电凸块材料被回流以形成球形凸块。 | ||
| 申请公布号 | CN102201351A | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN201110073590.7 | 申请日期 | 2011.03.25 |
| 申请人 | 新科金朋有限公司;星科金朋（上海）有限公司 | 发明人 | 林立人;S ·A ·墨菲;孙伟 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曲宝壮;蒋骏 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有接触焊盘的衬底；在衬底和接触焊盘上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第一凸块下金属化（UBM），所述第一凸块下金属化（UBM）电连接到接触焊盘；在第一UBM上形成第二绝缘层；在第二绝缘层被固化之后在第二绝缘层上形成第二UBM，第二UBM电连接到第一UBM使得第二绝缘层在第一和第二UBM的多个部分之间并且分隔第一和第二UBM的多个部分；在第二UBM上形成光致抗蚀剂层并且除去光致抗蚀剂层的一部分以在接触焊盘上的光致抗蚀剂层中形成开口；在光致抗蚀剂层中的开口内沉积导电凸块材料；除去光致抗蚀剂层；除去第二UBM的外围部分使得导电凸块材料悬于第二UBM之上；除去第一UBM的外围部分使得第二绝缘层悬于第一UBM之上；以及回流导电凸块材料以形成球形凸块。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡市 | ||