发明名称 氢气制造用过滤器制造方法
摘要 一种氢气制造用过滤器的制造方法,过滤器使用的薄膜支持基板包括:金属基板;在该金属基板的一个面上形成的多个柱状凸部;及在柱状凸部的非形成部位贯通金属基板地形成的多个贯通孔,柱状凸部的非形成部位的面积占柱状凸部形成面侧面积的20%~90%的范围。该制造方法包括:在相对于薄膜支持基板可选择性地进行蚀刻的金属基体材料的一个面上,通过电镀形成Pd合金膜的膜形成工序;在薄膜支持基板的形成柱状凸部的面上,通过把Pd合金膜与柱状凸部的上端面扩散接合,配设金属基体材料的扩散接合工序;及通过选择性蚀刻除去金属基体材料的除去工序。因此,可制造出用于燃料电池的改性器的、可稳定地进行高纯度氢气气体的生产的氢气制造用过滤器。
申请公布号 CN101337167B 申请公布日期 2011.09.28
申请号 CN200810110281.0 申请日期 2003.07.23
申请人 大日本印刷株式会社 发明人 八木裕;前田高德;太田善纪;内田泰弘
分类号 B01D71/02(2006.01)I 主分类号 B01D71/02(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 杨松龄
主权项 一种氢气制造用过滤器的制造方法,是使用薄膜支持基板的氢气制造用过滤器的制造方法,其特征是,所述薄膜支持基板包括:金属基板,金属基板的厚度为20‑300μm;在该金属基板的一个面上形成的多个柱状凸部;及在该柱状凸部的非形成部位以贯通金属基板的方式形成的多个贯通孔,并且,柱状凸部的非形成部位的面积占形成有柱状凸部的面一侧的面积的20%~90%的范围,所述氢气制造用过滤器的制造方法包括:在相对于所述薄膜支持基板可选择性地进行蚀刻的金属基体材料的一个面上,通过电镀形成Pd合金膜的膜形成工序;在所述薄膜支持基板的形成柱状凸部的面上,通过把所述Pd合金膜与柱状凸部的上端面扩散接合,配设所述金属基体材料的扩散接合工序;及通过选择性蚀刻除去所述金属基体材料的除去工序。
地址 日本东京都