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Statischer Direktzugriffsspeicher, umfassend: eine Anordnung von Speicherzellen (100; 300), welche überkreuz gekoppelte Inverter (120, 130, 122, 132) mit p-Multi-Gate-Feldeffekttransistor-Zugriffsbauelementen (110, 112) aufweisen; Wortleitungen (115; 450), welche mit den p-Multi-Gate-Feldeffekttransistor-Zugriffsbauelementen (110, 112) gekoppelt sind; und einen Decodierschaltkreis (430), welcher mit den Wortleitungen (115; 450) gekoppelt ist; dadurch gekennzeichnet, dass der statische Direktzugriffsspeicher einen Ein-Aus-Schalter (440) umfasst, welcher zwischen Masse (420) und den Decodierschaltkreis (430) gekoppelt ist, und dass der Ein-Aus-Schalter einen n-Multi-Gate-Feldeffekttransistor-Ein-Aus-Schalter (440) umfasst.
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