发明名称 具有热电装置之球栅阵列封装体
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.09.21
申请号 TW096109963 申请日期 2007.03.22
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 李长祺;杨金凤;黄东鸿
分类号 H01L23/367;H01L23/373 主分类号 H01L23/367
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种具有热电装置之球栅阵列封装体,包含:一基板,具有一顶面及一底面;一封装构件,结合在该基板之该顶面上并且内部封装有一晶片;一热电装置,设置于该基板之该底面上并对应该封装构件之晶片,以使该晶片与该热电装置形成未接触之形态,该热电装置具有一含有热电材料的热电单元、二使该热电单元与直流电源形成电气回路的导线,及分别设置于该热电单元两相反侧的一贴附于该基板上的第一平板与一第二平板,其中,该热电单元具有分别设置在该第一、二平板上的一第一、二导电片、及复数间隔排列且介于该第一、二导电片之间的柱体,每一柱体为P型半导体与N型半导体其中之一热电材料所制成,该二导线是分别与该第一、二导电片连接,让所有的柱体成为并联型态,藉此使该热电单元于邻近该基板处形成一低温面,同时于远离该基板处形成一高温面;多数连结球体,设置在该基板的底面并围绕于该热电装置的外围;以及一印刷电路板,可供所述连结球体设置,该印刷电路板上形成有复数个贯通并与该热电装置对应的热通道,且该第二平板是对应所有的热通道。依据申请专利范围第1项所述具有热电装置之球栅阵列封装体,其中,该热电装置之第一、二平板为陶瓷板。依据申请专利范围第1项所述具有热电装置之球栅阵列封装体,其中,该热电材料为碲化铋、碲化铅、矽化铁、方钴矿,及矽锗化合物其中之一半导体材质所制成。一种具有热电装置之球栅阵列封装体,包含:一基板,具有一顶面及一底面;一封装构件,结合在该基板之该顶面上并且内部封装有一晶片;一热电装置,设置于该基板之该底面上并对应该封装构件之晶片,以使该晶片与该热电装置形成未接触之形态,该热电装置具有一含有热电材料的热电单元、二使该热电单元与直流电源形成电气回路的导线,及分别设置于该热电单元两相反侧的一贴附于该基板上的第一平板与一第二平板,其中,该热电单元具有复数间隔设置在该第一平板上的第一导电小板、复数间隔设置在该第二平板上并分别与所述第一导电小板对应的第二导电小板、复数分别设置在该复数第一、二导电小板之间的柱体,及复数连接线,每一柱体为P型半导体与N型半导体其中之一热电材料所制成,所述的连接线是依序连接相邻的第一、二导电板,让所有的柱体成为串联型态,藉此使该热电单元于邻近该基板处形成一低温面,同时于远离该基板处形成一高温面;多数连结球体,设置在该基板的底面并围绕于该热电装置的外围;以及一印刷电路板,可供所述连结球体设置,该印刷电路板上形成有复数个贯通并与该热电装置对应的热通道,且该第二平板是对应所有的热通道。依据申请专利范围第4项所述具有热电装置之球栅阵列封装体,其中,该热电装置之第一、二平板为陶瓷板。依据申请专利范围第4项所述具有热电装置之球栅阵列封装体,其中,该热电材料为碲化铋、碲化铅、矽化铁、方钴矿,及矽锗化合物其中之一半导体材质所制成。一种具有热电装置之球栅阵列封装体,包含:一基板,具有一顶面及一底面;一封装构件,结合在该基板之该顶面上并且内部封装有一晶片;一热电装置,设置于该基板之该底面上并对应该封装构件之晶片,以使该晶片与该热电装置形成未接触之形态,该热电装置具有一含有热电材料的热电单元、二使该热电单元与直流电源形成电气回路的导线,及分别设置于该热电单元两相反侧的一贴附于该基板上的第一平板与一第二平板,其中,该热电单元具有复数间隔设置的热电组,每一热电组具有相间隔的一第一柱体与一第二柱体、一连接该第一、二柱体同侧端部的第一导电板,及一连接该第二柱体并相反于该第一导电板的第二导电板,所述热电组之第二导电板还依序与相邻之热电组的第一柱体连接,所述第一、二柱体分别为P型半导体与N型半导体之热电材料所制成,而所述第一、二导电板是分别设置在该第一、二平板上,藉此使该热电单元于邻近该基板处形成一低温面,同时于远离该基板处形成一高温面;多数连结球体,设置在该基板的底面并围绕于该热电装置的外围;以及一印刷电路板,可供所述连结球体设置,该印刷电路板上形成有复数个贯通并与该热电装置对应的热通道,且该第二平板是对应所有的热通道。依据申请专利范围第7项所述具有热电装置之球栅阵列封装体,其中,该热电装置之第一、二平板为陶瓷板。依据申请专利范围第7项所述具有热电装置之球栅阵列封装体,其中,该热电材料为碲化铋、碲化铅、矽化铁、方钴矿,及矽锗化合物其中之一半导体材质所制成。
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