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一种积层薄膜电容器之制造方法，其系积层电介质层与含铝之金属层而制成之积层薄膜电容器之制造方法，其中至少包含以含磷酸氢铝之溶液处理电容器元件之步骤。如请求项1之积层薄膜电容器之制造方法，其中前述磷酸氢铝系磷酸一氢铝(Al2(HPO4)3)或磷酸二氢铝(Al(H2PO4)3)。如请求项1或2项之积层薄膜电容器之制造方法，其中在以含前述磷酸氢铝之溶液处理电容器元件之步骤后，加热电容器元件。如请求项3之积层薄膜电容器之制造方法，其中前述加热时之电容器元件表面之最高温度为200℃~280℃。如请求项1或2项之积层薄膜电容器之制造方法，其中在以含前述磷酸氢铝之溶液处理电容器元件之步骤之前，进行利用硷性水溶液之处理。如请求项5之积层薄膜电容器之制造方法，其中前述硷性水溶液包含氢氧化钠、氢氧化钾或氢氧化锂中至少一种。如请求项1或2项之积层薄膜电容器之制造方法，其中前述电介质层系藉由在真空中蒸镀单体或低聚物而使其附着于支撑体上，其后藉由使其硬化而形成。 |
