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一种矽单晶之育成制程中的融液液面位置监视装置，系将使用柴氏长晶法之矽单晶之育成制程中的坩埚内的融液液面位置，以种晶沾附时的融液液面位置作为基准位置而予以监视的装置，其特征为：具备：观测融液液面位置的手段；和观测坩埚位置的手段；和将从融液液面所提拉之矽单晶的形状予以记忆的手段；和从所观测到之融液液面位置及坩埚位置与上述所记忆之矽单晶的形状，算出融液之假定液面位置的手段；和按每个控制周期将上述融液之假定液面位置传送到顺序电路(sequencecircuit)，藉以控制坩埚之上昇及下降的手段，并且当上述融液的假定液面位置超过上限位置时，停止坩埚的上昇。如申请专利范围第1项之矽单晶之育成制程中的融液液面位置监视装置，其中，当上述融液的假定液面位置超过上限警戒位置时，发出警报。如申请专利范围第1或2项之矽单晶之育成制程中的融液液面位置监视装置，其中，算出上述融液之假定液面位置的手段，系使用下列之式子(1)所获得的相对液面位置h1，作为真空抽吸制程、原料熔融制程及种晶沾附制程中的融液之假定液面位置，h1=DM………(1)然而，h1：种晶沾附后之上述基准位置起算之相对液面位置(mm)DM：种晶沾附后之坩埚的移动量(mm)。如申请专利范围第1或2项之矽单晶之育成制程中的融液液面位置监视装置，其中，算出上述融液之假定液面位置的手段，系在颈部育成制程、肩部育成制程、直胴部育成制程及尾部育成制程与矽单晶的育成完成后，使用下列之式子(2)所获得的相对液面位置h2，作为矽单晶从融液切离后的状态之融液的假定液面位置，h2=hR+CM………(2)然而，h2：矽单晶从融液切离后的状态之上述基准位置起算之相对液面位置(mm)hR：将矽单晶从融液切离时之上述基准位置起算之相对液面位置(mm)CM：将矽单晶从融液切离后之坩埚的移动量(mm)。如申请专利范围第1或2项之矽单晶之育成制程中的融液液面位置监视装置，其中，算出上述融液之假定液面位置的手段，系在颈部育成制程、肩部育成制程、直胴部育成制程及尾部育成制程中，使用下列之式子(3)所获得的相对液面位置h3，作为将育成途中所提拉的矽单晶浸渍于融液以使之再次融解时之融液的假定液面位置，@sIMGTIF!d10014.TIF@eIMG!然而，h3：将矽单晶浸渍于融液时之上述基准位置起算之相对液面位置(mm)h2：矽单晶从融液切离后的状态之上述基准位置起算之相对液面位置(mm)GS：矽的固体比重(2.33×10-3)GL：矽的液体比重(2.53×10-3)SM：将矽单晶从融液切离后之种晶的移动量(mm)CM：将矽单晶从融液切离后之坩埚的移动量(mm)SD：从融液液面被提拉之矽单晶的直径(mm)CD：融液表面的直径(mm)。 |
