| 发明名称 | 具有在接触区域中的局部设置金属硅化物区的晶体管以及形成该晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 通过进行基于图案化的介电层，例如，层间电介质材料，的硅化制程，可在各别接触区以高度局部化的方式提供各别金属硅化物部分，同时可显著减少金属硅化物的总量。以此方式，可显著减少金属硅化物的应力对于场效晶体管的信道区的负面影响，同时依然保有低接触电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN101536176B | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN200780032524.7 | 申请日期 | 2007.08.29 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | S·拜耳;P·普雷斯;T·费乌德尔 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种用于形成半导体器件(200)的方法，包括：在该半导体器件(200)的电路组件(250)之上形成的电介质材料(210)中形成接触开孔(209A)，该接触开孔(209A)与该电路组件(250)的含硅区(206、203)的含硅接触区(203C、206C)连接；在该电路组件(250)之上形成该电介质材料(210)之前，在该含硅区(206、203)的上部区域中形成基底金属硅化物(220)；在该含硅接触区(203C、206C)中移除该基底金属硅化物(220)，使该含硅区(206、203)被暴露；在该接触开孔(209A)中形成接触组件，其中，形成该接触组件包括以耐火金属(212)完全填满该接触开孔(209A)至最大深度，该耐火金属(212)的一部分覆盖该含硅接触区(203C、206C)；以及在该含硅接触区(203C、206C)形成金属硅化物(213)，其中，形成该金属硅化物(213)包括退火覆盖该含硅接触区(203C、206C)的该耐火金属(212)的该部分，该接触组件(209A)连接至该金属硅化物(213)。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||