发明名称 |
聚焦环和基板载置系统 |
摘要 |
本发明提供一种具有适合等离子体处理的膜厚的导热片的聚焦环。在等离子体处理装置(10)中,聚焦环(25)包围在具有制冷剂室(26)的基座(12)上载置的晶片W的外周,并具备与基座(12)接触的基座接触面(40)、和形成在该基座接触面(40)上的导热片(38);导热片(38)的热传导率在0.5~5.0W/m·K的范围内,导热片(38)包含成分中含有硅的耐热性的粘合剂和橡胶,在该粘合剂和橡胶中以25~60容积%含有混入该粘合剂和橡胶的氧化物、氮化物或碳化物的陶瓷填充剂,导热片(38)的膜厚是40μm以上且不足100μm。 |
申请公布号 |
CN102194634A |
申请公布日期 |
2011.09.21 |
申请号 |
CN201110050935.7 |
申请日期 |
2011.03.01 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
北岛次雄;小林义之;渡边淳;冈田拓也 |
分类号 |
H01J37/21(2006.01)I;H01J37/02(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/21(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种聚焦环,其包围在具有温度调节机构的载置台上载置的基板的外周,并具备与所述载置台接触的接触面、和在该接触面形成的导热片,所述聚焦环的特征在于:所述导热片包含有机材料和混入到该有机材料中的导热材料,所述导热片的膜厚是40μm以上且不足100μm。 |
地址 |
日本东京 |